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[00291916]超高亮度 GaN 基 LED 芯片

交易價格: 面議

所屬行業: 其他電子信息

類型: 非專利

技術成熟度: 正在研發

交易方式: 技術轉讓 技術轉讓 技術入股

聯系人: 廈門大學

進入空間

所在地:福建廈門市

服務承諾
產權明晰
資料保密
對所交付的所有資料進行保密
如實描述
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技術詳細介紹

一、項目簡介 半導體 LED(發光二極管)具有發光效率高、多色、節能、壽命長、響應快、體積小、 全固化、冷光源(不發熱)、綠色環保(無污染)、驅動容易等許多優點,廣泛應用于各種信 號和圖像的顯示。近年來國際上在 GaN 基材料上取得突破進展,研制出高效率的藍色和白 色高亮度 LED,不但能實現大屏幕全彩色顯示,而且有可能取代目前的白熾燈、熒光燈等 用于照明工程,從而徹底改變目前人類的生活。當前國內藍色、白色 LED 芯片主要還是依 靠進口,在國內封裝。國內能生產芯片的廠家不多,而且芯片的發光效率、發光功率、正向 工作電壓、抗靜電感應能力、工作壽命等性能方面和國外還有一定的差距,具有自主知識產 權的技術也不多。所以,研發生產具有自主知識產權的超高亮度 GaN 基 LED 芯片是適應當 前的 LED 形勢,具有很大的發展前景和良好的經濟效益。 二、技術特色和技術成熟程度 目前 GaN 基材料的 P 型有效摻雜濃度太低和良好的 P 型歐姆接觸制備困難,它將降低 PN 結的注入比、降低發光效率、增加器件正向工作電壓、使器件發熱、性能變差,成為約 束 GaN 基材料和器件發展技術瓶頸。 我們提出激光誘導下 P 型 GaN 有效摻雜和 P 型歐姆接觸制備的方法,并獲得表面處空 穴濃度 3.2×1018cm-3 和 P 型比接觸電阻為 2.1×10-4Ωcm2 的良好效果,已達國際水平,是目前 國內所報道的最好結果。已申請了“激光誘導下氮化鎵 P 型有效摻雜制備方法”(申請號: 200310121093.5,公開號:CN1554576A)和“激光誘導下氮化鎵 P 型歐姆接觸的制備方法” (申請號:200310121092.0,公開號:CN1554575A)兩項發明專利。該技術和傳統的芯片 制備工藝完全兼容,僅增加濺射和激光誘導兩道工序。采用該技術后,GaN 藍色(或白色) LED 的性能將得到大大改善:如正向的工作電壓將從目前國內的 3.5V 左右降低到 3.2V,發 光效率和發光功率都將得到提高。 三、應用范圍 半導體 LED(發光二極管)芯片生產。 四、預期經濟效益 目前 2 英寸直徑的 GaN 基延片單價$300 美元,每個芯片面積約 380x380 微米,芯片成 品率約 80%,每片外延片可制備 LED 芯片 約 1 萬只。將一片外延片加工為芯片的費用約 ¥1000 元。每個芯片的價格約(¥0.2~1.0 元)。具體效益主要由定單決定。 五、合作方式 技術轉讓或技術入股合作研發, 總經費投入約 1000 萬元人民幣(含技術轉讓費)。
一、項目簡介 半導體 LED(發光二極管)具有發光效率高、多色、節能、壽命長、響應快、體積小、 全固化、冷光源(不發熱)、綠色環保(無污染)、驅動容易等許多優點,廣泛應用于各種信 號和圖像的顯示。近年來國際上在 GaN 基材料上取得突破進展,研制出高效率的藍色和白 色高亮度 LED,不但能實現大屏幕全彩色顯示,而且有可能取代目前的白熾燈、熒光燈等 用于照明工程,從而徹底改變目前人類的生活。當前國內藍色、白色 LED 芯片主要還是依 靠進口,在國內封裝。國內能生產芯片的廠家不多,而且芯片的發光效率、發光功率、正向 工作電壓、抗靜電感應能力、工作壽命等性能方面和國外還有一定的差距,具有自主知識產 權的技術也不多。所以,研發生產具有自主知識產權的超高亮度 GaN 基 LED 芯片是適應當 前的 LED 形勢,具有很大的發展前景和良好的經濟效益。 二、技術特色和技術成熟程度 目前 GaN 基材料的 P 型有效摻雜濃度太低和良好的 P 型歐姆接觸制備困難,它將降低 PN 結的注入比、降低發光效率、增加器件正向工作電壓、使器件發熱、性能變差,成為約 束 GaN 基材料和器件發展技術瓶頸。 我們提出激光誘導下 P 型 GaN 有效摻雜和 P 型歐姆接觸制備的方法,并獲得表面處空 穴濃度 3.2×1018cm-3 和 P 型比接觸電阻為 2.1×10-4Ωcm2 的良好效果,已達國際水平,是目前 國內所報道的最好結果。已申請了“激光誘導下氮化鎵 P 型有效摻雜制備方法”(申請號: 200310121093.5,公開號:CN1554576A)和“激光誘導下氮化鎵 P 型歐姆接觸的制備方法” (申請號:200310121092.0,公開號:CN1554575A)兩項發明專利。該技術和傳統的芯片 制備工藝完全兼容,僅增加濺射和激光誘導兩道工序。采用該技術后,GaN 藍色(或白色) LED 的性能將得到大大改善:如正向的工作電壓將從目前國內的 3.5V 左右降低到 3.2V,發 光效率和發光功率都將得到提高。 三、應用范圍 半導體 LED(發光二極管)芯片生產。 四、預期經濟效益 目前 2 英寸直徑的 GaN 基延片單價$300 美元,每個芯片面積約 380x380 微米,芯片成 品率約 80%,每片外延片可制備 LED 芯片 約 1 萬只。將一片外延片加工為芯片的費用約 ¥1000 元。每個芯片的價格約(¥0.2~1.0 元)。具體效益主要由定單決定。 五、合作方式 技術轉讓或技術入股合作研發, 總經費投入約 1000 萬元人民幣(含技術轉讓費)。

推薦服務:

主辦單位:南平市科學技術局

技術支持:廈門科易網科技有限公司

 

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